Если вы ищете подробную информацию о свойствах транзистора КТ502Д, то вы обратились по адресу. В этой статье мы углубимся в детали этого электронного компонента, чтобы вы могли лучше понять его работу и применение.
Транзистор КТ502Д — это биполярный транзистор с p-n-p структурой, который широко используется в различных электронных схемах. Он отличается высокой выходной мощностью и стабильностью параметров при изменении температуры. Его максимальный ток коллектора составляет 1.5 А, а максимальная частота — 500 кГц.
Одной из ключевых характеристик транзистора КТ502Д является его способность работать в широком диапазоне температур. Он может функционировать при температурах от -60 до +150 градусов Цельсия, что делает его идеальным выбором для применения в различных условиях окружающей среды.
Также стоит отметить, что транзистор КТ502Д имеет низкий уровень шума и высокую чувствительность к сигналу. Это делает его отличным выбором для использования в схемах усилителей и других приложениях, где важна высокая чувствительность и низкий уровень шума.
Область применения транзистора КТ502Д
Также, транзистор КТ502Д нашел применение в схемах генераторов и осцилляторов, где его стабильные характеристики обеспечивают надежную работу на высоких частотах. Кроме того, КТ502Д используется в схемах коммутации и переключения, где его способность управлять большими токами и напряжениями является решающим фактором.
Важно отметить, что транзистор КТ502Д может использоваться как в дискретных схемах, так и в составе микросхем. В последнем случае, он может служить основой для построения операционных усилителей, компараторов, мультивибраторов и других аналоговых и цифровых устройств.
Технические параметры транзистора КТ502Д
Начнем с максимальной коллекторной тока, которая составляет 1 А. Это значение показывает, какой максимальный ток может протекать через коллектор транзистора без риска его повреждения. При выборе транзистора для вашей схемы важно учитывать этот параметр, чтобы убедиться, что он может обрабатывать требуемый ток.
Максимальная рассеиваемая мощность — это количество мощности, которое транзистор может рассеивать без риска перегрева и повреждения. Для КТ502Д этот параметр составляет 625 мВт. При проектировании схем важно учитывать этот параметр, чтобы избежать перегрева транзистора и гарантировать стабильную работу схемы.
Коэффициент передачи тока (hFE) — это отношение тока, протекающего через коллектор, к току, протекающему через базу. Для КТ502Д этот параметр может варьироваться от 50 до 200. Высокое значение hFE означает, что транзистор может обрабатывать большие токи при малом токе базы, что делает его полезным в приложениях, требующих управления большими токами.
Максимальное напряжение коллектор-база (Vce) составляет 30 В, а максимальное напряжение базы-эмиттера (Vbe) составляет 5 В. Эти значения показывают, какой максимальный разряд может быть приложен к соответствующим ногам транзистора без риска повреждения.
Наконец, стоит отметить, что транзистор КТ502Д имеет обратный ток коллектора (Ico) не более 5 мА и обратный ток базы (Ibo) не более 5 мкА. Эти значения показывают, какой максимальный обратный ток может протекать через соответствующие ноги транзистора без риска повреждения.